IRF830

IRF830. C(in): 610pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 320 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 42 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.