Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.17€ | 1.40€ |
5 - 9 | 1.12€ | 1.34€ |
10 - 24 | 1.06€ | 1.27€ |
25 - 49 | 1.00€ | 1.20€ |
50 - 99 | 1.02€ | 1.22€ |
100 - 249 | 1.05€ | 1.26€ |
250 - 772 | 1.03€ | 1.24€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.17€ | 1.40€ |
5 - 9 | 1.12€ | 1.34€ |
10 - 24 | 1.06€ | 1.27€ |
25 - 49 | 1.00€ | 1.20€ |
50 - 99 | 1.02€ | 1.22€ |
100 - 249 | 1.05€ | 1.26€ |
250 - 772 | 1.03€ | 1.24€ |
IRF830PBF. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF830PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2.7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 610pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 74W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 00:25.
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