IRF9Z24NPBF

IRF9Z24NPBF. C(in): 350pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 47 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.175 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 20:25.