IRF9Z34NS

IRF9Z34NS. C(in): 620pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 54ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 20:25.