IRF9Z34NSPBF

IRF9Z34NSPBF. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F9Z34NS. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 620pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 68W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 20:25.