IRFB11N50A

IRFB11N50A. C(in): 1423pF. Kosten): 208pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 510 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 170W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.52 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 52 nC. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 20:25.