IRFB3006

IRFB3006. C(in): 8970pF. Kosten): 1020pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 44 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 1080A. ID (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 375W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0021 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 118 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 20:25.