IRFB4019

IRFB4019. C(in): 800pF. Kosten): 74pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 64 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Wichtige Parameter optimiert für Class-D-Audio. Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Einschaltwiderstand Rds On: 80m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Digitaler Audio-MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.