IRFB4229

IRFB4229. C(in): 4560pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Klasse-D-Audioverstärker 300 W–500 W (Halbbrücke). Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 330W. Einschaltwiderstand Rds On: 38m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.