Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFBC40

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IRFBC40. C(in): 1300pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.

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Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 8A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Menge pro Karton: 1
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Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 8A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Menge pro Karton: 1
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