Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 2.26€ | 2.71€ |
5 - 9 | 2.14€ | 2.57€ |
10 - 24 | 1.69€ | 2.03€ |
25 - 49 | 1.59€ | 1.91€ |
50 - 99 | 1.56€ | 1.87€ |
100 - 249 | 1.52€ | 1.82€ |
250 - 277 | 1.44€ | 1.73€ |
Menge | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.26€ | 2.71€ |
5 - 9 | 2.14€ | 2.57€ |
10 - 24 | 1.69€ | 2.03€ |
25 - 49 | 1.59€ | 1.91€ |
50 - 99 | 1.56€ | 1.87€ |
100 - 249 | 1.52€ | 1.82€ |
250 - 277 | 1.44€ | 1.73€ |
IRFBE30PBF. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFBE30PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 82 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 17:25.
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