IRFD024

IRFD024. C(in): 640pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 88 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.