IRFD024PBF

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	1.25€	1.50€
5 - 9	1.19€	1.43€
10 - 24	1.10€	1.32€
25 - 49	1.01€	1.21€
50 - 99	0.99€	1.19€
100 - 249	1.35€	1.62€
250 - 521	1.61€	1.93€

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5 - 9	1.19€	1.43€
10 - 24	1.10€	1.32€
25 - 49	1.01€	1.21€
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IRFD024PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 640pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Polarität: MOSFET N. Vdss (Drain-Source-Spannung): 60V. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 2.5A. Gate/Source-Spannung Vgs: 100m Ohms / 1.5A / 10V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Max: 1.3W. Gehäuse: DIP4. Montageart: THT. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 17:25.

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