IRFD110PBF

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	0.45€	0.54€
5 - 9	0.43€	0.52€
10 - 24	0.41€	0.49€
25 - 49	0.39€	0.47€
50 - 99	0.38€	0.46€
100 - 249	0.37€	0.44€
250 - 358	0.45€	0.54€

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Set mit 1

IRFD110PBF. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: IRFD110PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.9ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 180pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Gehäuse (JEDEC-Standard): DIP-4. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 17:25.

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