IRFD120

IRFD120. C(in): 360pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 0.94A. ID (T=25°C): 1.3A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 18 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 17:25.