IRFD120PBF

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	1.96€	2.35€
5 - 9	1.86€	2.23€
10 - 24	1.76€	2.11€
25 - 49	1.26€	1.51€
50 - 99	1.23€	1.48€
100 - 187	1.20€	1.44€

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5 - 9	1.86€	2.23€
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IRFD120PBF. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: IRFD120PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 0.78A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 18 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 360pF. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 17:25.

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