IRFD9014

IRFD9014. C(in): 270pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: FET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 8.8A. ID (T=100°C): 0.8A. ID (T=25°C): 1.1A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 17:25.