IRFD9110

IRFD9110. C(in): 200pF. Kosten): 94pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 82 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 5.6A. ID (T=100°C): 0.49A. ID (T=25°C): 0.7A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET POWWER MOSFET. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 13:25.