IRFIBC40G

IRFIBC40G. C(in): 1300pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 470ms. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 13:25.