IRFP250N

IRFP250N. C(in): 2159pF. Kosten): 315pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 186 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 214W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.