IRFP260N

IRFP260N. C(in): 4057pF. Kosten): 603pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 268 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: dynamisches dv/dt-Verhältnis, schnelle Umschaltung. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 5.57g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.