IRFP350

IRFP350. C(in): 2600pF. Kosten): 660pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 87 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET-Leistungs-MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Spannung Vds(max): 400V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 11:25.