IRFPG50

IRFPG50. C(in): 2800pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 630 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 1000V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.