IRFR1205

IRFR1205. C(in): 1300pF. Kosten): 410pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 65 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 107W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.027 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 47 ns. Td(on): 7.3 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+155°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 09:25.