IRFR3505

IRFR3505. C(in): 2030pF. Kosten): 470pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 280A. ID (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 71A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 43 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 19:25.