IRG4BC30KDPBF

IRG4BC30KDPBF. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4BC30KD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 28A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 60 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 160 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W. Maximaler Kollektorstrom (A): 56A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 06:25.