N-Kanal-Transistor, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRL3705N

N-Kanal-Transistor, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRL3705N. N-Kanal-Transistor, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.01 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 3600pF. Kosten): 870pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 94us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 310A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 170W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Gate-Antrieb auf Logikebene, schnelles Schalten. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 20:25.