IRL3803S

IRL3803S. C(in): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 120ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Id(imp): 470A. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.006 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 00:25.