IRL530NSTRLPBF

IRL530NSTRLPBF. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L530NS. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 800 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 00:25.