Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V - IRL630

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V - IRL630
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N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V - IRL630. N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220A. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikebene. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Originalprodukt vom Hersteller International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/06/2025, 23:25.

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IRL630A

IRL630A

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C)...
IRL630A
N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220A. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikebene. Pd (Verlustleistung, max): 69W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS
IRL630A
N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220A. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikebene. Pd (Verlustleistung, max): 69W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS
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