IRLML5203

IRLML5203. C(in): 510pF. Kosten): 71pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 17 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code H. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.098 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 52 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 22:25.