IRLML6402

IRLML6402. C(in): 633pF. Kosten): 145pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.7A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.05 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 588 ns. Td(on): 350 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 20V. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.4V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 22:25.