IRLR024N

IRLR024N. C(in): 480pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Äquivalente: IRLR024NPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.