IRLR3110ZPBF

IRLR3110ZPBF. C(in): 3980pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 34-51 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 250A. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Äquivalente: IRLR3110ZPbF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 79W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.105 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: ±16. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 22:25.