IXFH26N60Q

IXFH26N60Q. C(in): 4700pF. Kosten): 580pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 104A. ID (T=25°C): 26A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 360W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 80 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.