IXFK48N50

IXFK48N50. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFK48N50. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 8400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 500W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 22:25.