IXFK64N50P

IXFK64N50P. RoHS: ja. C(in): 7900pF. Kosten): 790pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 5.5V. ID (T=25°C): 64A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 830W. Einschaltwiderstand Rds On: 85m Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 85 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 20V/ns. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 22:25.