IXFN520N075T2

IXFN520N075T2. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: SOT-227B (ISOTOP). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: GigaMOS. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 48 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 80 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 41000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 940W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 19:25.