IXFR120N20P

IXFR120N20P. C(in): 9100pF. Kosten): 2200pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Elektrisch isolierte Rückseite. Id(imp): 480A. ID (T=25°C): 105A. IDSS (max): 2uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 400W. Einschaltwiderstand Rds On: 17m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Hinweis: Isolationsspannung 2500 V 50/60 Hz, RMS, 1 Minute. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.