IXFR200N10P

IXFR200N10P. C(in): 7600pF. Kosten): 2900pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Elektrisch isolierte Rückseite. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 133A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Hinweis: Isolationsspannung 2500 V 50/60 Hz, RMS, 1 Minute. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 19:25.