IXGH32N60BU1

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	17.54€	21.05€
2 - 2	16.66€	19.99€
3 - 4	15.78€	18.94€
5 - 9	14.91€	17.89€
10 - 14	14.56€	17.47€
15 - 19	14.21€	17.05€
20 - 23	13.68€	16.42€

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IXGH32N60BU1. C(in): 2700pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 120ns. Funktion: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 32A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 25 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 19:25.

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