IXXK200N65B4

IXXK200N65B4. C(in): 760pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Kollektorstrom: 480A. Ic(Impuls): 1200A. Ic(T=100°C): 200A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1630W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 226 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 650V. Gate/Emitter-Spannung VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 13:25.