Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 1 | 30.63€ | 36.76€ |
2 - 2 | 29.10€ | 34.92€ |
3 - 4 | 27.57€ | 33.08€ |
5 - 5 | 26.04€ | 31.25€ |
Menge | U.P | |
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1 - 1 | 30.63€ | 36.76€ |
2 - 2 | 29.10€ | 34.92€ |
3 - 4 | 27.57€ | 33.08€ |
5 - 5 | 26.04€ | 31.25€ |
IXYK140N90C3. C(in): 9830pF. Kosten): 570pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: Hochgeschwindigkeits-IGBT für 20-50-kHz-Schaltung. Kollektorstrom: 310A. Ic(Impuls): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IXYK140N90C3. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1630W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 145 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.15V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 900V. Gate/Emitter-Spannung VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 13:25.
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