Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

K2000G

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K2000G. RoHS: ja. Teilung: 3.2x6.3mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Suppressor. Menge pro Karton: 1. Hinweis: SIDAC 215V 1A, Zenerdiode. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 200V. Pd (Verlustleistung, max): 5W, max 600W 1ms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Ubr [V] bei Ibr [A]: 210V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 171V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz
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Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 200V. Pd (Verlustleistung, max): 5W, max 600W 1ms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Ubr [V] bei Ibr [A]: 210V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 171V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz
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