Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

KBU8J

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KBU8J. VRRM: 600V. Nennstrom [A]: 8A. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 270A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 23.5x5.7x19.3mm. Gehäuse (JEDEC-Standard): 8A. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 08:25.

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VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 8A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Äquivalente: KBU8M, KBU807. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08x5.08mm. Abmessungen: 21.5x18.3x3.4mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms), IFSM--180Ap (t=10ms)
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