LT1158CN

LT1158CN

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LT1158CN. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 16. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP16. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +70°C.. RoHS: ja. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. [V]: +30V. Originalprodukt vom Hersteller: Analog Devices (linear Technology). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:35

LT1158CN
10 Parameter
Anzahl der Kreise
1
Anzahl der Terminals
16
Gehäuse
DIP16
Komponentenfamilie
MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+70°C.
RoHS
ja
Schaltungstyp
Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung
[V]
+30V
Originalprodukt vom Hersteller
Analog Devices (linear Technology)