Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MBRS360T3G

MBRS360T3G
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MBRS360T3G. RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B36. Äquivalente: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.74V. Durchlassspannung Vf (min): 0.74V. VRRM: 60V. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.

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SS36-E3

SS36-E3

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (...
SS36-E3
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 500uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS36. Äquivalente: SS36-E3/9AT. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. VRRM: 60V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
SS36-E3
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 500uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS36. Äquivalente: SS36-E3/9AT. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. VRRM: 60V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
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MBRS3100T3G

MBRS3100T3G

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schott...
MBRS3100T3G
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 130A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B310. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
MBRS3100T3G
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 130A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B310. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
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