MDF11N65B

MDF11N65B. C(in): 1650pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 355 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 49.6W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 132 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: SMPS, Hochgeschwindigkeitsschaltung. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 14:25.