MJD45H11T4G

MJD45H11T4G. Kosten): 45pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 85 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 45H11G. Äquivalente: MJD45H11G, MJD45H11J. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Tf (Typ): 140 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DPAK CASE 369C. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJD45H11T4G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 12:25.