MJE3055T-CDIL

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	0.77€	0.92€
5 - 9	0.73€	0.88€
10 - 24	0.69€	0.83€
25 - 49	0.65€	0.78€
50 - 97	0.64€	0.77€

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Set mit 1

MJE3055T-CDIL. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: für Hi-Fi-Audioverstärker und Schaltregler. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE3055T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 09:25.

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